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Home Ciência e Tecnologia

Memria resistiva protege computadores contra ataques

por Redação
5 anos atrás
em Ciência e Tecnologia
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Memria resistiva protege computadores contra ataques
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Informtica

Redação do Site Inovação Tecnológica – 24/12/2020

Em vez de software, um novo hardware gera nmeros aleatrios verdadeiros para garantir a segurana ciberntica.
[Imagem: A*STAR/IMRE]

Segurana no hardware

A molibdenita no est vindo em socorro apenas do exaurido silcio.

Ela pode tambm trazer uma nova camada de segurana para os computadores, uma camada de proteo embutida no prprio hardware.

Pesquisadores fizeram uso da aleatoriedade inerente a um componente de memria RAM para gerar nmeros aleatrios verdadeiros, essenciais para a segurana ciberntica.

Para criptografar dados, necessrio usar nmeros aleatrios que sejam conhecidos apenas pelo remetente e pelo destinatrio da mensagem. Hoje esses nmeros so pseudo-aleatrios, sendo gerados por software – no fcil na prtica, mas basta que algum decifre o algoritmo para deduzir a pretendida “aleatoriedade”.

” prefervel usar nmeros aleatrios verdadeiros, mas eles tambm so mais difceis de se obter, uma vez que devem seguir certas regras estatsticas para garantir a integridade da aleatoriedade,” explicou o professor Dongzhi Chi, do Instituto de Pesquisas e Engenharia de Materiais, de Cingapura.

Super memria

Em vez de software, Chi e sua equipe se voltaram para o hardware para gerar nmeros aleatrios verdadeiros, explorando a aleatoriedade intrnseca nas propriedades fsicas de um componente de memria de acesso aleatrio resistivo (ReRAM) – alm de no perderem os dados na falta de energia, essas memrias podem funcionar como memoristores, ou sinapses artificiais.

A ideia no exatamente original, mas tentativas anteriores esbarraram na rpida degradao das memrias ReRAM, em ltima anlise deixando pontos fracos na armadura de cibersegurana do computador.

Esse problema foi resolvido empilhando camadas monoatmicas de molibdenita e ensanduichando tudo entre duas camadas isolantes de polmero. “Essa estrutura nos permitiu manter a espessura da camada ativa em alguns nanmetros, sem sacrificar as propriedades eltricas,” disse Henry Medina, membro da equipe.

Mem

A tcnica j foi utilizada em escala semi-industrial, gerando bolachas de 6 polegadas (15,2cm).
[Imagem: Jianwei Chai et al. – 10.1002/adma.202002704]

Mltiplos estados aleatrios

As ReRAMs aprimoradas foram testadas em uma nica clula que apresenta 10 estados aleatrios – cinco vezes mais do que os estados aleatrios binrios tpicos. “Normalmente, os nmeros aleatrios so gerados de forma binria, fornecendo os estados ‘1’ ou ‘0’. Nosso mtodo de gerao de vrios estados aleatrios em uma nica clula ajuda a reduzir a quantidade de hardware usado,” explicou Chi.

A equipe j est trabalhando para transferir sua tcnica para equipamentos industriais de fabricao, viabilizando a chegada da tecnologia ao mercado.

Bibliografia:

Artigo: MoS2/Polymer Heterostructures Enabling Stable Resistive Switching and Multistate Randomness
Autores: Jianwei Chai, Shiwun Tong, Changjian Li, Carlos Manzano, Bing Li, Yanpeng Liu, Ming Lin, Laimun Wong, Jianwei Cheng, Jing Wu, Aaron Lau, Qidong Xie, Stephen J. Pennycook, Henry Medina, Ming Yang, Shijie Wang, Dongzhi Chi
Revista: Advanced Materials
Vol.: 32, Issue 42
DOI: 10.1002/adma.202002704

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