Eletrnica
Redação do Site Inovação Tecnológica – 10/08/2021
Circuito oscilador em anel construdo com os transistores permeveis de base orgnica (OPBTs).
[Imagem: Erjuan Guo]
Transistores orgnicos
Pesquisadores da Universidade Tcnica de Dresden, na Alemanha, criaram o primeiro transstor orgnico vertical que rpido o suficiente para ser usado na implementao de aparelhos eletrnicos do mundo real.
O desempenho do novo componente chama a ateno: O transstor capaz de operar em baixa tenso e tem um tempo de chaveamento de menos de 10 nanossegundos.
Como h muito tempo se tem anunciado, a eletrnica orgnica, com seus circuitos flexveis e fabricados por impresso, tem potencial para reduzir o custo de praticamente toda a eletrnica, alm de viabilizar usos que hoje no so prticos com a rgida eletrnica do silcio.
Contudo, esses componentes vinham apresentando um desempenho insuficiente para os padres da computao, o que tornou o desenvolvimento de transistores de baixa tenso, alto ganho e alta frequncia, um dos alvos mais importantes de todos os grupos de pesquisa na rea.
Foi justamente isso o que a equipe obteve, fabricando pela primeira vez transistores orgnicos verticais integrados em circuitos funcionais.
Esses transistores esto sendo chamados de OPBTs, sigla em ingls para transistores de base orgnica permevel (organic permeable base transistors).
Estrutura dos tipos n e p dos transistores plsticos.
[Imagem: Erjuan Guo et al. – 10.1038/s41928-021-00613-w]
Eletrnica de plstico na faixa dos GHz
Alm de um desempenho sem precedentes para componentes impressos em substrato polimrico, alcanando a faixa dos GHz, esses transistores apresentaram um funcionamento robusto e estabilidade de longo prazo em funcionamento real.
“Em trabalhos anteriores, descobrimos que o segundo eletrodo de controle na arquitetura do transstor vertical permite uma ampla faixa de controlabilidade do limiar de tenso, o que torna esses componentes ideais para circuitos lgicos eficientes, rpidos e complexos.
“Neste novo trabalho, adicionamos um recurso vital tecnologia, demonstrando circuitos complementares, como inversores complementares integrados e osciladores em anel. Usando esses circuitos complementares, a eficincia energtica e a velocidade de operao podem ser melhoradas em mais de uma ordem de magnitude e podem permitir que a eletrnica orgnica entre no regime dos GHz,” disse o pesquisador Erjuan Guo.
Artigo: Integrated complementary inverters and ring oscillators based on vertical-channel dual-base organic thin-film transistors
Autores: Erjuan Guo, Shen Xing, Felix Dollinger, Ren Hbner, Shu-Jen Wang, Zhongbin Wu, Karl Leo, Hans Kleemann
Revista: Nature Electronics
DOI: 10.1038/s41928-021-00613-w
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